质量测试旨在检验产品是否满足使用需求，聚焦于产品的可用性，一般采用非破坏性测试方式。而可靠性测试侧重于评估产品的耐用程度，探究其寿命及寿命的合理性，往往涉及破坏性测试或会对产品性能产生影响的测试手段 。可靠性试验作为关键评估方式，主要用于衡量产品在特定时间段内的可靠性水平，同时能够揭示潜在问题。其核心目标包含以下方面：1.在产品研制阶段，通过可靠性测试暴露试制产品存在的各类缺陷，从而推动产品设计的优化；2.于生产阶段，为生产过程监控提供数据支持，助力生产工艺的改进；3.针对定型产品开展可靠性鉴定或验收工作，为产品实现规模化生产奠定基础；
4.深入分析产品在不同环境与工作条件下的失效规律、失效模式及失效机理，进而有针对性5.为完善产品可靠性试验方案提供依据，同时也为用户选择产品提供参考。由于产品应用场景与使用环境存在差异，需根据实际情况选用适宜的可靠性试验方法。从可靠性定义出发，可靠性测试需明确规定相关条件，涵盖环境条件（如温度、湿度、振动等）、负载大小以及工作模式等；确定测试时间，以研究产品可靠度随时间变化的规律；明确产品功能，即全面考量所有功能与技术指标。
值得注意的是，产品可靠性本质上源于设计与制作环节，而非单纯依靠试验赋予。可靠性试验虽无法直接赋予产品可靠性，但能够有效降低用户使用风险。当下，新的可靠性评估趋势是将评估重点从产品转向生产线，因为优质的生产线能够将可靠性融入产品制造全过程。电子产品通常具有较长的使用寿命，且使用环境复杂多变。为在合理时间内完成可靠性测试，保障产品可靠性并控制测试成本，需针对不同环境条件开展常规测试或加速测试。从理论层面而言，加速试验应力水平的设定应以不改变产品失效机理为前提。压力锅蒸煮试验（PCT）是将被测样品置于高温、高湿（相对湿度 100%）且高压的严苛环境中进行测试，旨在评估样品耐受高湿环境的能力。该试验主要用于检测半导体封装对湿气的抵御性能。试验设备为特制压力锅，内部配备水加热器，可营造出 100% 相对湿度的环境。若半导体封装存在缺陷，湿气极易渗入封装体内部。其渗透路径主要包括：1)被 IC 芯片、引线框架 / 基板以及芯片黏结材料吸收的水分；
3)封装完成后，湿气会透过塑封料，或经塑封料与引线框架之间的间隙渗透。由于塑料与引线框架仅为机械结合，二者间不可避免会形成微小空隙，为湿气渗透提供通道。湿气侵入后，可能引发多种失效问题，如出现爆米花效应、金属化区域因腐蚀导致断路、封装体引脚间污染造成短路等封装故障，还可能致使 IC 芯片发生腐蚀失效。高温高湿电加速试验（THB）着重探究半导体器件在高湿度环境下的使用寿命。试验时，水分主要通过透湿密封材料与玻璃密封材料作为传输路径，渗透至半导体芯片，同时半导体处于通电状态，以此加速器件老化进程。该试验一般将温度设定为 85℃、相对湿度控制在 85% ，不过具体参数还需依据器件组成材料特性，适当调整为更低温度。与常规湿度测试不同，高温高湿电加速试验在器件通电状态下开展，能够检验因水与电场共同作用致使杂质电离（包括电偶腐蚀、离子迁移等现象），进而引发电化学反应时，器件的容错性能。湿度加速因子推导通常基于相对湿度模型与绝对蒸汽压模型。试验前，需综合考量器件自热效应，合理选择持续供电或间歇供电模式。试验过程中，为防止从试验箱取出试样时，因温度骤降导致密封玻璃表面凝结露水，需采取一系列防护措施，如及时清除试验箱高湿度空气循环通道内多余水分，待温度和湿度充分下降后再进行试样取出操作。高加速应力试验（HAST）主要模拟非气密器件在高温高湿环境下的工作场景，用于检验塑封产品抵御蒸汽侵入与腐蚀的能力。试验条件设定为温度 130℃、相对湿度 85%、压力 2atm，在最大偏压下持续测试 100 小时。该试验的失效机理在于，相较于常规高压蒸煮试验，偏置电压在潮湿的芯片表面，会加速铝线及键合区发生电化学腐蚀。同时，蒸汽携带的杂质与塑封体内本身存在的杂质，在电应力作用下，会在键合区附近以及塑封体内引脚间聚集，进而形成漏电通道。一般认为，24 小时的 HAST 试验效果大致等同于 1000 小时的 THB 试验。若在 HAST 试验中出现正常工作时不会发生的失效现象（如塑封体内部出现分离），则表明当前 HAST 加速条件过于严苛，失去试验有效性。半导体封装是由多种材料构成的复杂结构体系，每种材料都具备独特的热膨胀系数。当温度发生变化时，材料间会产生机械应力。若半导体器件反复经历高温与低温环境，就会不断地膨胀与收缩，导致机械应力周期性产生。温度循环试验正是为了检验器件对这类应力的耐受能力，以及评估其使用寿命。该试验能够有效检测出热膨胀系数差异较大的两种材料粘结部位，是否存在剥落等失效问题。功率和温度循环（PTC）通过周期性改变半导体器件的运行状态与温度环境，来测试器件在极端温度条件下的耐受性能，属于复合测试评估方法，近年来备受关注，常用于评估器件互联可靠性。在试验过程中，监测器件运行状态与连接可靠性，可实现从低温到高温全温度范围测试。试验对象为半导体器件，在整个温度范围内，需确保器件电源按运行要求开启或关闭。此测试尤其适用于在温度变化剧烈环境（如室外环境）下使用的产品。试验过程中，可能出现以下失效模式与可靠性问题：因组成材料热膨胀系数不同，导致器件断裂或破损；连接部位可靠性下降；环境温度变化时，通电或断电引发局部瞬间过热；冷启动过程中出现故障等。高温工作寿命试验（HTOL）用于确定半导体器件在高温且施加偏压的加速条件下的运行寿命。试验环境温度一般选取 125℃或 150℃（需确保结温在器件极限范围内）。该试验核心目的是验证在电场、电流与温度协同加速的失效机制下，器件的使用寿命。除了与机械强度、湿度及静电放电相关的失效情况，高温工作寿命试验对多数失效模式都具有良好的检测效果。温度相关的加速效果依据阿伦尼乌斯定律确定；通常，电压相关的加速因子不仅取决于电压大小，还与电场强度密切相关。2003 年，美国电子工程联合会（JEDEC）针对便携式电子产品跌落测试，发布了 JESD22 - B111《手持式电子产品板级跌落测试方法》标准。该标准对测试用电路板尺寸规格、元器件布局方式、加载速度参数、跌落条件设置以及测试步骤流程等内容，均作出了详细且明确的规定。自该标准颁布后，国内外研究人员在开展板级跌落试验研究时，大多以此标准作为参考依据。
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