前段制程(晶圆加工阶段)
厚度要求:需保持较高厚度(如300mm晶圆约775微米),以确保机械强度和抗翘曲能力,满足设备传输和高温工艺(如光刻、离子注入)的稳定性。
标准厚度范围:
150mm(6英寸):650-700微米(标准675μm)
200mm(8英寸):700-750微米(标准725μm)
300mm(12英寸):750-800微米(标准775μm)
后段制程(封装阶段)
减薄工艺为封装和芯片性能带来显著提升:
技术 原理 优点 缺点 适用场景 机械研磨 CMP 湿法蚀刻 干法刻蚀 激光减薄
晶圆减薄是半导体制造中衔接前段制程与封装的核心环节,其技术选择需权衡效率、成本与性能需求。随着摩尔定律逼近物理极限,先进封装技术(如3D IC、Chiplet)对减薄工艺提出更高要求,推动行业向超薄化、高精度、低应力的方向发展。