在历经两年多去化库存及供需调整后，全球DRAM市场于今年第二季开始迈入复苏，这波涨势是由一连串结构性改变所驱动，包括原厂减产、产品世代交替，以及市占重分配所引发的供应断层，尤其DDR4价格因供应紧缩与需求支撑出现明显反弹。

全球DRAM市场长期由三星、SK海力士与美光三大原厂主导，过往市占率分别约为35%、30%与20%。中国台湾的南亚科市占约1%，而中国大陆的长鑫存储亦积极扩产，市占已达1成以上。不过主要供货商考虑利润，近年来资源明显聚焦AI服务器需求与高阶产品线，将产能转向HBM与DDR5，进一步加速旧世代DDR4与LPDDR4的产品终止时程。

原厂对高阶应用押注的策略已反映在产线规划上，无论是制程技术或封装资源，均优先配置于DDR5与HBM，特别是HBM由多颗高阶DRAM Die堆栈而成，据了解，HBM与DDR5使用相近的1α、1β先进制程，但HBM芯片面积更大、良率更低，生产周期也较长，从投片至封装完成需2个季度以上。这类产品对先进制程的晶圆需求高，加上制造流程耗时，对原厂整体产能调度形成实质压力。

今年以来，三星、美光、海力士皆对外公告将逐步停产旧制程的DDR4产品，终止时点多集中在今年底至2026年中。DDR4产品虽然仍有实质需求，但供给面已无法维持，市场可取得的货源持续缩水，台厂南亚科与华邦电的产能仍难以弥补整体缺口。

需求端来看，尽管DDR5逐步渗透服务器与PC新平台，但不少应用端仍仰赖DDR4，如消费型计算机、嵌入式系统与零售维修通路。在供应快速收敛的情况下，市场出现恐慌性备货，导致价格从今年第一季底开始反弹，第二季加速上涨，甚至出现罕见价格倒挂，根据DRAMeXchange数据，截至6月底，DDR4 16Gb 3200颗粒现货价已超过12美元，远高于同容量DDR5颗粒约6美元的水平，DDR4价格已反超DDR5一倍。

据TrendForce分析，预期第三季消费型DDR4价格仍将季增40%至45%，服务器应用之DDR4也因客户提前抢货而推升报价，整体标准型DRAM价格预期将季增10%至15%，若计入HBM则平均涨幅将达15%至20%。

从应用端来看，手机、服务器与笔电仍为DRAM三大主要需求来源，合计占比超过65%。其中服务器需求近年受AI与数据中心建置推升，对DDR5与HBM拉货力道强劲；而consumer领域则在季节性拉货、关税风险预期等因素推动下，呈现超预期强劲备货潮。

熟悉通路市场业者指出，目前原厂优先供应server用DDR4与DDR5，使得consumer端有排挤，尤其中小订单客户缺乏议价能力，价格上涨压力应会转嫁至终端买方，中阶笔电与主板出货成本上升可能会反映到售价上，而DDR5价格较低，不过需搭配新主板与平台，总体升级成本仍高。但消费性市场价格敏感度高，应仍会加速转向DDR5。

而对嵌入式装置而言，产品设计与平台淘汰需经过完整验证流程，转换速度远不如消费性市场。若要全面导入新平台与新内存规格，通常至少需要时间，预期短期内仍将以DDR4为主力配置。