在现代芯片中，数以百亿计的晶体管需要被错综复杂的金属导线连接起来，才能协同工作，迸发出强大的计算能力。这其中，铜成为了搭建这些“纳米级高速公路”的首选材料。而将铜精准地填充到比头发丝还细千倍的沟槽中的关键技术，就是我们今天的主角——电镀（Electroplating）。

为什么是铜？

在早期的芯片中，互联导线主要使用铝。但随着工艺进步，晶体管越来越小，对导线的性能要求也越来越高。铜凭借其更低的电阻率（导电性更好）和更强的抗电迁移能力（更耐用），成功取代了铝，让芯片速度更快、功耗更低。

电镀：为芯片披上铜衣的外衣

然而，如何在纳米尺度的芯片结构上沉积铜，是一个巨大挑战。物理气相沉积（PVD）这类“喷涂”工艺在填充深而窄的沟槽时容易产生孔洞，导致导线断裂。而电化学电镀（Electroplating） 则完美地解决了这一问题，它的过程如同给芯片进行一场精密的“纳米级电镀”：

第一步：做好准备
在需要制作导线的绝缘层（介质层，如SiO₂）上，已经通过刻蚀工艺雕刻出了设计好的沟槽和通孔。然后，需要先用PVD工艺在沟槽内壁和芯片表面均匀地沉积一层极薄的屏障层（Barrier）。这层屏障如同“保鲜膜”，防止后续的铜原子扩散到周围的绝缘材料中，破坏芯片的电学性能。

第二步：浸入蓝液
将整个晶圆浸入特殊的硫酸铜（CuSO₄）溶液中。

第三步：通电召唤

阴极（-）：晶圆本身。它被接通电源的负极。

阳极（+）：一个由高纯度铜制成的铜靶（Copper Target）。它被接通电源的正极。

当电路接通，电场瞬间建立。溶液中的铜离子（Cu²⁺）带正电，被负极的晶圆所吸引，纷纷向晶圆表面移动。

第四步：精准填充
在电场的作用下，铜离子到达晶圆表面的沟槽和孔洞后，会得到电子，发生还原反应，从离子状态变成金属铜原子，并从下至上、从内至外地均匀沉积在沟槽内，最终实现无孔洞的完美填充。

第五步：抛光打磨
电镀完成后，晶圆表面会覆盖一层多余的铜。接下来需要通过化学机械抛光（CMP） 工艺，将这层多余的铜磨掉并抛光平坦，只留下沟槽内那些完整的铜导线，为制作下一层电路做好准备。