在芯片工厂（Fab）中，光刻工艺如同一位顶尖设计师，在硅晶圆上绘制出精美的电路蓝图。但真正将这张平面蓝图变成立体微纳结构的，是刻蚀（Etch） 工艺。而衡量刻蚀工艺快慢的核心指标，就是刻蚀速率（Etch Rate）。

简单来说，刻蚀速率就是刻蚀工艺在单位时间内去除材料的厚度。其标准单位是 Å/秒 或 纳米/秒（1纳米 = 10 Å）。例如，如果对硅的刻蚀速率是5 Å/秒，那么刻蚀1秒，就能去除0.5纳米的硅材料。

可以将其比喻为雕刻家的工作效率：

材料 = 待雕刻的木板

刻蚀工艺 = 雕刻家及其工具

刻蚀速率 = 雕刻家每分钟能凿掉多深的木料。

刻蚀速率绝非越快越好，它需要在速度、精度和控制之间取得完美平衡，其重要性体现在三个方面：

1. 精度控制（精准度）—— “不多不少，刚刚好”

现代芯片的结构复杂精细，某些薄膜层的厚度可能只有几十个原子层。刻蚀的目标是精确地去除特定厚度的材料，直达下一层而不过度损伤。

速率太快：难以精确控制终点，容易过刻蚀，损伤下层结构，导致电路短路或性能失效。

速率太慢：虽然控制精准，但会严重影响生产效率。

刻蚀工艺的核心挑战之一，就是实现高度均匀和稳定的刻蚀速率。

2. 生产效率（经济性）—— “时间就是金钱”

在晶圆厂，一台刻蚀机价值数百万至上千万美元。一片晶圆需要经历数十次刻蚀步骤。

刻蚀速率直接决定了每片晶圆在刻蚀机中停留的时间。

更高的速率意味着更短的单片加工时间、更高的设备产能和更低的生产成本。因此，在保证精度和良率的前提下，提升刻蚀速率是晶圆厂不懈的追求。

3. 工艺选择比（选择性）—— “只削苹果皮，不伤果肉”

这是刻蚀速率衍生出的一个更为关键的概念。在实际操作中，我们 rarely 只刻蚀一种材料。例如，用光刻胶作掩模去刻蚀下方的二氧化硅层，我们希望：

高速率刻蚀二氧化硅。

低速率刻蚀光刻胶和再下方的硅衬底。

选择比 就是两种材料刻蚀速率的比值：

选择比 = 材料A的刻蚀速率 / 材料B的刻蚀速率

一个高的选择比意味着刻蚀工艺能高度选择性地去除目标材料，而几乎不损伤掩模和停止层。这是实现复杂三维结构（如FinFET的鳍式结构、3D NAND的存储孔）的基。